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Einrichtungen >> Technische Fakultät (TF) >> Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik (EEI) >>

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

 

Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie

SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Anmeldung über StudOn; Di, 14:15 - 15:45, 0.111
WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
Marhenke, J.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 8:15 - 9:45, 0.111
  Jank, M.  
 

Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente"

EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.
  Niebauer, M.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.  
 

Halbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Di, 12:15 - 13:45, H9; Einzeltermin am 22.10.2018, 14:15 - 15:45, H9; bis zum 29.1.2019
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
Dirnecker, T.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 SWS; Mo, 12:15 - 13:45, HH; Erster Termin: 03.12.2018
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV 5-6
Stolzke, T.  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Mo, 14:15 - 15:45, H9; Einzeltermin am 5.2.2019, 12:15 - 13:45, H9; ab 29.10.2018
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
Stolzke, T.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 14:15 - 15:45, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Vorbesprechung: 19.10.2018, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111
  Dirnecker, T.  
 

Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik

KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Leistungshalbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Di, 16:15 - 17:45, 0.111
WPF WING-MA-ET-EN 1-3
WPF WING-MA-ET-EN 5-6
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF MT-MA-MEL ab 1
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Erster Übungstermin am 15.10. entfällt; Mo, 10:15 - 11:45, 0.111, (außer Mo 15.10.2018)
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF WING-MA-ET-EN 1-3
Albrecht, M.  
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 SWS; Do, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Fr, 8:15 - 9:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, (außer Fr 19.10.2018); Mo, 14:15 - 15:45, 0.157-115, (außer Mo 15.10.2018); Keine Übung in der ersten Vorlesungswoche.
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Ggf. findet das Praktikum - in Abstimmung mit den Studierenden in der Vorbesprechung - als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Anmeldung über StudOn.; Vorbesprechung: 19.10.2018, 10:00 - 10:30 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
Niebauer, M.
u.a.
 
 

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 16.10.2018, 8:30 - 9:30 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6 Stolzke, T.  
     n.V.    Deeg, F. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Frickel, J. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Beck, Ch. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    N.N. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
 

Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2018/19 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1
Dirnecker, T.  
 

Reinraum- und Halbleiterpraktikum [RRPrak]

PR; 6 SWS; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 18.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
PF NT-BA 5 Marhenke, J.
Dirnecker, T.
 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:000.111  Matthus, Ch.D. 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00BR 1.161  N.N. 
     Do
Do
9:00 - 13:00
14:00 - 18:00
BR 1.161, 0.111
BR 1.161
  Matthus, Ch.D. 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]

SEM; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 10:15 - 11:45, 0.111, (außer Fr 29.3.2019); bis zum 19.4.2019
  Stolzke, T.
Dirnecker, T.
 
 

Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)

SEM; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, 0.111, (außer Fr 29.3.2019); bis zum 19.4.2019; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Dirnecker, T.
Stolzke, T.
 
 

Technik der Halbleiterfertigungsgeräte

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Veranstaltung wird voraussichtlich als Blockveranstaltung durchgeführt. Interessenten wenden sich bitte direkt an den Dozenten Prof. Pfitzner.; Nach Vereinbarung. Bitte wenden Sie sich bei Interesse an den Dozenten.; Vorbesprechung: 24.10.2018, 15:00 - 15:45 Uhr
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technologie integrierter Schaltungen

VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mo, 10:15 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; Mo, 13:00 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
Niebauer, M.  
 

Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Mo, 16:15 - 17:45, 0.111; nach Vereinbarung (Kontakt: peter.pichler@iisb.fraunhofer.de)
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; ben. Schein; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  


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