Technologie integrierter Schaltungen (TIS)5 ECTS
(englische Bezeichnung: Technology of Integrated Circuits)
(Prüfungsordnungsmodul: Technologie integrierter Schaltungen)

Lehrveranstaltungen:

• • Technologie integrierter Schaltungen
    (Vorlesung, 3 SWS, Lothar Frey, Fr, 12:15 - 14:30, Hans-Georg-Waeber-Saal)
  • Übung zu Technologie integrierter Schaltungen
    (Übung, 1 SWS, Christian David Matthus, Mo, 8:15 - 9:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,)

Empfohlene Voraussetzungen:

Kenntnisse aus dem Bereich Halbleiterbauelemente (Pflichtveranstaltung im Bachelorstudiengang EEI und Mechatronik)

Inhalt:

Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Die Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen dargestellt, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden.

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

Anwenden

• beschreiben die Technologieschritte und notwendigen Prozessgeräte

• erklären die physikalischen und chemischen Vorgänge bei der Herstellung von Integrierten Schaltungen

Evaluieren (Beurteilen)

• ermitteln en Einfluss von Prozessparametern und können Vorhersagen für Einzelprozesse ableiten

• sind in der Lage, verschiedene Herstellungsschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile bzgl. der hergestellten Schichten, Strukturen oder Bauelemente zu beurteilen

Literatur:

• S. M. Sze: VLSI - Technology, MacGraw-Hill, 1988

• C. Y. Chang, S. M. Sze: ULSI - Technology, MacGraw-Hill, 1996

• D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000

• Hong Xiao: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall, 2001
  

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015s | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science) | Masterprüfung | Studienrichtung Mikroelektronik | Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Technologie integrierter Schaltungen)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Technologie integrierter Schaltungen (Prüfungsnummer: 61901)

Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018, 2. Wdh.: keine Wiederholung

1. Prüfer:

Lothar Frey

Termin: 22.03.2018, 11:00 Uhr, Ort: H 8 TechF
Termin: 19.07.2018, 11:00 Uhr, Ort: H 10 TechF