Werkstoffe der Elektrotechnik
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 3; Di, 14:00 - 15:30, 3.71; KEINE VL am 13.12.2011; ERSATZTERMIN am 21.12.2011 um 13h00 (ORT=nn)
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PF MWT-MA-WET 1
WPF ET-MA-MWT ab 1
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Wellmann, P.
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Kern- und Wahlfach (WW6)
SL; Vorbesprechung: 18.10.2011, 8:30 - 9:00 Uhr, 3.71
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Wellmann, P.
Brabec, Ch.J.
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Neuere Fragen zu Werkstoffen der Elektronik und Energietechnik
SEM; 2 SWS; Di, 11:00 - 12:30, 3.71
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WF MWT-MA-WET 1
WPF ET-MA-MWT ab 1
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Wellmann, P.
Brabec, Ch.J.
Batentschuk, M.
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Photovoltaik-Technologie
VORL; 1 SWS; Kredit: 1,5; ECTS: 1,5; Zeit n.V., 3.71; 1.2.12: 11:00-12:30; 14:00-16:30/ 2.2.12: 10:15-11:45; 14:00-16:30/ 3.2.12: 9:00-12:15/
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Kunz, Th.
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Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung
VORL; 2 SWS; ECTS: 3; Mo, 15:45 - 17:15, 3.71; ab 7.11.2011
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WF MWT-MA-WET 1
WPF ET-MA-MWT ab 1
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Kasperl, S.
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 3; Praktikumsräume WW 6; Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.; Vorbesprechung: 18.10.2011, 15:45 - 16:15 Uhr, 3.71
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PF MWT-MA-WET 1
WPF ET-MA-MWT ab 1
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Wellmann, P.
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Projektarbeit - Arbeitsgemeinschaft Kristallisation von SiC und CIS [AG SiC CIS]
PJS; 2 SWS; ECTS: 5; jede 2. Woche Fr; Termin nach Vereinbarung; Vorbesprechung: 19.10.2011, 11:00 - 12:00 Uhr, 3.71
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WPF MWT-MA-WET ab 3
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Wellmann, P.
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Grundlagen Werkstoffe der Elektronik und Energietechnik 1
VORL; 2 SWS; ECTS: 3; Di, 9:00 - 10:30, 3.71
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PF MWT-MA-WET 1
WPF ET-MA-MWT ab 1
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Brabec, Ch.J.
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UE; 1,5 SWS; Schein; ECTS: 3; jede 2. Woche Mi, 16:00 - 18:00, 3.71; ab 2.11.2011
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PF MWT-MA-WET ab 1
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Matt, G.
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Seminar über Bachelor- und Diplomarbeiten
SEM; Di, 9:00 - 10:30, Raum n.V.; R. 3.64
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WPF MWT-MA-WET 1
WPF WW-BAH 6
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Wellmann, P.
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Seminar über Studien-, Bachelor- und Diplom(Master)-arbeiten
SEM; nach Vereinbarung; Mo, 13:30 - 15:00, 3.71
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WPF MWT-MA-WET 1
WPF WW-BAH 6
WF ET-MA-MWT ab 1
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Brabec, Ch.J.
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