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Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; n.V.					Frey, L.
Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten [AWA St] AWA; 4 SWS; Zeit und Raum n.V.					Stoisiek, M.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:00 - 16:00, 0.111; Vorbesprechung: 19.10.2010, 14:00 - 15:00 Uhr, 0.111				WPF EEI-DH-MIK 5-13 WPF EEI-BA 5-9 WPF ME-DH-SEM 5-13	Grandrath, Ch. Frey, L.
Bauelementmodelle VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Di, 10:15 - 11:45, 0.111				WF EEI-DH-MIK 7-13 WPF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-MA-LE 1-4	Stoisiek, M.
Übung zu Bauelementmodelle UE; 2 SWS; Di, 12:30 - 14:00, BR 1.161; Zeit und Ort eventuell nach Vereinbarung				WF EEI-DH-MIK 7-13	Stoisiek, M.
Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr] VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 12:30 - 14:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Zeit und Ort n.V.; Vorbesprechung: 20.10.2010, 12:30 - 14:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-DH-MIK 7-10 WF EEI-DH 7-10	Schmidt, K. Jank, M.
Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente" EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.					Grandrath, Ch.
Halbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Di, 10:15 - 11:45, H5; Einzeltermine am 21.10.2010, 28.10.2010, 14:15 - 15:45, H8				PF EEI-DG 3 PF EEI-BA 3 PF WING-BA-IKS 5 PF BP-BA-E 3	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente TUT; 2 SWS				PF EEI-BA 3
	Mo	10:00 - 11:30	H6		Walther, S. Dirnecker, T.
	1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters				Walther, S. Dirnecker, T.
	Di	12:15 - 13:45	H6		Walther, S. Dirnecker, T.
Übungen zu Halbleiterbauelemente UE; 2 SWS; Übung beginnt am 04.11.; Do, 14:15 - 15:45, H8				PF EEI-DG 3 PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-EDU 3 PF WING-BA-IKS 5 PF BP-BA-E 3	Dirnecker, T.
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal					Frey, L.
Leistungshalbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Do, 10:15 - 11:45, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-13 WPF ME-BA-MG3 3-5 WPF EEI-DH-AET 5-13 WPF EEI-DH-E&A 5-13 WF EEI-DH-MIK 5-13 PF EEI-DH-LE 5-13 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-MA-EuA 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-4	Stoisiek, M.
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente UE; 2 SWS; ben. Schein; Do, 12:30 - 14:00, 0.111; Zeit und Ort eventuell nach Vereinbarung				WF ME-DH-VF11 5-13 WPF ME-MA-MG3 1-3 WPF EEI-DH-AET 5-13 WPF EEI-DH-E&A 5-13 WF EEI-DH-MIK 5-13 PF EEI-DH-LE 5-13 PF EEI-BA 5-9 WPF ME-BA-MG3 3-5	Stoisiek, M.
Numerische Simulation grundlegender Vorgänge in Halbleiterbauelementen SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; nach Vereinbarung; Vorbesprechung: 21.10.2010, 11:45 - 12:00 Uhr, 0.111				WPF EEI-DH-MIK 7-13	Stoisiek, M.
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling VORL; 2 SWS; Di, 11:00 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-DH 7-13 WF ME-DH 7-13	Erdmann, A.
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Praktikum wird voraussichtlich als Blockveranstaltung in der vorlesungsfreien Zeit stattfinden.; Vorbesprechung: 18.10.2010, 14:50 - 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF EEI-DH-MIK ab 5 WPF ME-DH-PEEI ab 5	Grandrath, Ch. Assistenten
Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung: 20.10.2010, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111				WPF EEI-BA 5-6
	Mi	13:00 - 17:00	n.V.		Rascher, J. u.a.
	Mi	13:00 - 17:00	n.V.		Frickel, J. u.a.
	Mi	13:00 - 17:00	BR 1.161		Walther, S. Grandrath, Ch.
	Mi	13:00 - 17:00	n.V.		Dirnecker, T. Frickel, J. Rascher, J.
	Zeitpunkt und Dauer der einzelnen Versuche werden bei der Vorbesprechung bekannt gegeben				Dirnecker, T. Frickel, J. Rascher, J.
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Di, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Praktikum wird am Dienstag vormittag durchgeführt. Teilnehmerzahl ist beschränkt. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 18.10.2010 um 15:00 Uhr im Hans-Georg-Waeber-Saal!; Vorbesprechung: 18.10.2010, 15:00 - 16:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF CE-BA-TA-ME ab 5 WPF CE-BA-TW ab 5 WPF EEI-DH-AET ab 5 WPF EEI-DH-MIK ab 5 WPF EEI-BA ab 5 WPF ME-DH-PEEI ab 5	Dirnecker, T. u.a.
Produktion in der Elektrotechnik 1 (PRIDE) VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Teil 1 (Wintersemester) und Teil 2 (Sommersemester) der Vorlesung werden gemeinsam geprüft; Di, 16:00 - 17:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				PF ME-DH 5 WPF ME-BA-MG8 ab 5	Frey, L. Schmidt, M.
Reinraumpraktikum [RRPrak] PR; ECTS: 5; Teilnahme an Vorbesprechung verpflichtend!; Vorbesprechung: 21.10.2010, 8:00 - 10:00 Uhr, 0.111				PF NT-BA 5
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. Grandrath, Ch. Walther, S.
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. Grandrath, Ch. Walther, S.
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. Grandrath, Ch. Walther, S.
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. Grandrath, Ch. Walther, S.
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Grandrath, Ch. Dirnecker, T. Walther, S.
	Do	8:00 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. Grandrath, Ch. Walther, S.
	Do	8:00 - 10:00	0.111		Grandrath, Ch. Dirnecker, T. Walther, S.
	ab 28.10.2010				Grandrath, Ch. Dirnecker, T. Walther, S.
Seminar über Studien- und Diplomarbeiten SEM; 2 SWS; Fr, 10:30 - 12:15, 0.111; Einzeltermin am 14.9.2010, 10:30 - 12:15, 0.111; bis zum 25.3.2011; (Termine werden per Aushang bekannt gegeben)					Dirnecker, T. Frey, L.
Seminar über Studien-, Diplom- und Forschungsarbeiten SEM; 2 SWS; Zeit und Raum n.V.					Stoisiek, M.
Technik der Halbleiterfertigungsgeräte VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Mi, 15:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, (außer Mi 1.12.2010, Mi 15.12.2010); ab 27.10.2010; Am 08.12. Vorlesung ab 16:00, am 15.12. Reinraumbesichtigung (ab 11:00), 19.&26.01. Reservetermine; Vorbesprechung: 27.10.2010, 15:15 - 15:45 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-DH-MIK 5-13 WF MB-DH 7-13 WPF ME-DH-VF8 7-9 WPF ME-BA-MG8 ab 5 WF WW-DH-EL 7-13	Pfitzner, L. Schmutz, W.
Technologie integrierter Schaltungen VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mo, 12:30 - 14:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; ab 17.01. von 11:30 bis 13:45				WPF CE-BA-TA-ME 3-5 WPF CE-BA-TW 3-5 PF EEI-DH-MIK 5 WPF EEI-DH-AET 5-13 WPF EEI-DH-LE 5-13 PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-DH-VF13 7-9 WF ME-DH-VF11 5-13 WF ME-DH-VF8 5-13 WPF ME-BA-MG12 5	Frey, L.
Übung zu Technologie integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; jede 2. Woche Mo, 15:00 - 16:30, Hans-Georg-Waeber-Saal; ab 25.10.2010; ab 24.01. von 14:00 bis 15:30				WPF CE-BA-TA-ME 3-5 WPF CE-BA-TW 3-5 PF EEI-DH-MIK 5 WPF EEI-DH-AET 5-13 WPF EEI-DH-LE 5-13 WPF EEI-BA ab 5 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-DH-VF13 7-9 WPF ME-BA-MG12 ab 5	Kaiser, J.
Virtuelle Übung zu Produktion in der Elektrotechnik UE; 1 SWS; Anmeldung über die Internetseite des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente; zur Verbesserung der Prüfungsvorbereitung LEB-Teil					N.N.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.
Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Fr, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF EEI-DH-MIK 5-13 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-DH-VF11 5-7 WPF ME-BA-MG11 5	Pichler, P.
Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; ben. Schein; Fr, 11:45 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF EEI-DH-MIK 5-13 PF ME-DH-VF11 5-7 WPF ME-BA-MG11 ab 5	Pichler, P.



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