|
|
Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>
|
Numerische Simulation grundlegender Vorgänge in Halbleiterbauelementen [Import]- Dozent/in
- Prof. Dr. phil. nat. Michael Stoisiek
- Angaben
- Seminar
2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: nach Vereinbarung
Vorbesprechung: 21.10.2010, 11:45 - 12:00 Uhr, Raum 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF EEI-DH-MIK 7-13
- Inhalt
- Das Verhalten von Halbleiterbauelementen wird in guter Näherung durch drei gekoppelte Differentialgleichungen, nämlich die Poisson-Gleichung sowie die Kontinuitätsgleichung für jeweils Elektronen und Löcher beschrieben. Zur Lösung dieses Gleichungssystems für komplexe Geometrien moderner Halbleiterbauelemente sowohl für stationären als auch transienten Betrieb stehen heute leistungsstarke und benutzerfreundliche kommerzielle Simulationsprogramme zur Verfügung. Diese werden vor allem bei der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente und ihrer Herstellungsprozesse eingesetzt. Durch die Möglichkeit solcher Programme, in einfacher Weise unterschiedliche Bauelementegeometrien und elektrische Klemmenspannungen einzugeben bzw. zu verändern, einzelne physikalische Effekte bei der Berechnung ein- oder auszuschalten sowie als Ergebnis sich die detaillierte räumliche Verteilung von elektrischem Feld und Ladungsträgerdichten im Bauelement ansehen zu können, eignet sich ein solches Programm in idealer Weise zum Kennenlernen und Verstehen von Halbleiterbauelementen. Die Teilnehmer des Seminars werden ausgewählte, in allen Bauelementen immer wiederkehrende Grundvorgänge durch eigene Simulationen an Rechnern des LEB "erleben" und eine visuelle Darstellung des entsprechenden Phänomens durch geeignete Simulationsergebnisse erarbeiten.
Der Ablauf des Seminars ist in drei Phasen aufgeteilt: In der ersten Phase werden in Form einer Vorlesung die implementierten physikalischen Grundgleichungen und physikalischen Modellvorstellungen sowie Struktur und Benutzeroberfläche des Simulationsprogramms (DESSIS) erläutert. In Phase 2 werden die Seminarteilnehmer in Gruppen jeweils ein Thema bearbeiten und am Ende der Phase 2 darüber berichten. Eine einheitliche Form der visuellen Darstellung der von den verschiedenen Gruppen bearbeiteten Themen wird zu Beginn der Phase 3 vereinbart und in Phase 3 von den Teilnehmern erarbeitet.
- ECTS-Informationen:
- Credits: 2,5
- Zusätzliche Informationen
- Schlagwörter: Simulation Halbleiter Bauelement Numerik
Erwartete Teilnehmerzahl: 15
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2010/2011:
- Numerische Simulation grundlegender Vorgänge in Halbleiterbauelementen
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
|
 |
|
|
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
|
|