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Nanoelektronik- Dozentinnen/Dozenten
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey, Dr.-Ing. Michael Jank
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 10:00 - 11:30, Hans-Georg-Waeber-Saal (außer Mo 16.4.2012); Einzeltermin am 16.4.2012 10:00 - 11:30, Raum n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: am 16.04. im Seminarsaal II (neben Hans-Georg-Waeber-Saal)
- Studienfächer / Studienrichtungen
- PF NT-MA 2
WPF ME-BA-MG11 5-6
WPF EEI-DH-MIK ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-MG11 ab 3
- Inhalt
- 1. Skalierung von MOS Transitoren:
Einsatzspannungs-Absenkung, „Subthreshold Slope“
Band-Band Tunneln, „Drain Induced Barrier Lowering“,
Beweglichkeitsdegradation,
Tunnelströme,
Gateverarmung,
Dotierstofffluktuationen,
Zuverlässigkeit2. Neue Architekturen und Materialien für Nano-MOS-Bauelemente:
Hoch epsilon Dielektrika,
„Metal Gate“ Elektroden,
„Strained Silicon“, SiGe, GeOI,
FinFET, TriGate Transistoren,
Nanowire Strukturen (Si-Nanotubes, Carbon Nanotubes),
Vertikale MOS Strukturen,
Schottky MOS 3. Erzeugung kleinster Strukturen:
Optische Lithographie für sub-50 nm,
EUV Lithographie,
Elektronenstrahl- und Ionenstrahllithogarphie,
Druck und Prägetechniken,
Selbstorganisation 4. Bauelemente der nichtflüchtigen Datenspeicherung:
Ladungsspeicherung in Dielektrika und Nanokristallen (Flash EPROM),
Multibit Zellen,
Ferroelektrische Speicherzellen,
Widerstandsprogrammierbare Zellen (MRAM, PCM, spannungs-programmierbare Zellen) 5. Bauelemente mit einzelnen Elektronen:
Single Electron Device,
Resonantes Tunneln,
Schaltbare Moleküle 6. Prinzipielle Grenzen:
Quantenmechanische Grenze,
Thermische Grenze,
Statistische Grenze
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Nanoelectronics
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 45
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2012:
- Nanoelektronik
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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