UnivIS
Informationssystem der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg © Config eG 
FAU Logo
  Sammlung/Stundenplan    Modulbelegung Home  |  Rechtliches  |  Kontakt  |  Hilfe    
Suche:      Semester:   
 
 Darstellung
 
Druckansicht

 
 
 Außerdem im UnivIS
 
Vorlesungs- und Modulverzeichnis nach Studiengängen

 
 
Veranstaltungskalender

Stellenangebote

Möbel-/Rechnerbörse

 
 
Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>

  Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente

Dozentinnen/Dozenten
Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Assistenten

Angaben
Praktikum
3 SWS, Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt
Zeit und Ort: Mi 8:30 - 12:30, Raum n.V.; Mi 8:30 - 10:00, 0.111; Bemerkung zu Zeit und Ort: !Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2014/15 nicht angeboten!
bis zum 3.12.2014

Studienfächer / Studienrichtungen
WPF ME-DH-PEEI 5-10
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-MA-LE ab 1
WPF EEI-BA-LE ab 5
WPF ME-MA-P 1-3

Inhalt
Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Meßverfahren zur Prozeßkontrolle wie Schichtdickenmeßverfahren, Schichtwiderstandsmeßverfahren vorgestellt und zum Schluß die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Empfohlene Literatur
  • Frey, L., Technologie integrierter Schaltungen, Folien zur Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen
  • Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

ECTS-Informationen:
Title:
Laboratory on Silicon Semiconductor Processing

Credits: 2,5

Prerequisites
Prerequisite lecture:
Technology of Silicon Semiconductor Devices, Part 1 and/or 2

Contents
The practical lab course in silicon semiconductor technology offers first insights into the practice of semiconductor technology. In the course of the fabrication of a solar cell, the process steps of oxidation, implantation, lithography, etching, and metallization are performed. Furthermore, important measurement techniques such as film thickness measurement and sheet resistivity measurement techniques are presented. Finally, the manufactured solar cells are electrically characterized (efficiency etc.)

Literature
Silicon Semiconductor Technology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course) Frey, L.: Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente I and II, lecture script, (available at Chair of Electron Devices) Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 8
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2014/2015:
Praktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (TESIPRAK)

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof