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Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
- Dozentinnen/Dozenten
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, u.a.
- Angaben
- Praktikum
3 SWS, Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt
Zeit und Ort: Di 8:30 - 12:30, BR 1.161; Bemerkung zu Zeit und Ort: Praktikum wird am Dienstag vormittag durchgeführt. Teilnehmerzahl ist beschränkt. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 18.10.2010 um 15:00 Uhr im Hans-Georg-Waeber-Saal!
Vorbesprechung: 18.10.2010, 15:00 - 16:00 Uhr, Raum Hans-Georg-Waeber-Saal
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF CE-BA-TA-ME ab 5
WPF CE-BA-TW ab 5
WPF EEI-DH-AET ab 5
WPF EEI-DH-MIK ab 5
WPF EEI-BA ab 5
WPF ME-DH-PEEI ab 5
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Anmeldung über StudON voraussichtlich ab dem 15.09.2010
- Inhalt
- Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die
Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation,
Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Meßverfahren zur
Prozeßkontrolle wie Schichtdickenmeßverfahren, Schichtwiderstandsmeßverfahren vorgestellt und zum Schluß die
hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).
- Empfohlene Literatur
- Ryssel, H., Technologie integrierter Schaltungen, Folien zur Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen
Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Laboratory on Silicon Semiconductor Processing
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- Prerequisite lecture:
Technology of Silicon Semiconductor Devices, Part 1 and/or 2
- Contents
- The practical lab course in silicon semiconductor technology offers first insights into the practice of semiconductor technology.
In the course of the fabrication of a solar cell, the process steps of oxidation, implantation, lithography, etching, and
metallization are performed. Furthermore, important measurement techniques such as film thickness measurement and sheet
resistivity measurement techniques are presented. Finally, the manufactured solar cells are electrically characterized (efficiency
etc.)
- Literature
- Silicon Semiconductor Technology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Ryssel, H.: Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente I and II, lecture script, (available at Chair of Electron Devices)
Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 18
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2010/2011:
- Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente (TESIPRAK)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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