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  Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente

Dozentinnen/Dozenten
Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Assistenten

Angaben
Praktikum
3 SWS, Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mi 8:00 - 12:00, 0.111; Bemerkung zu Zeit und Ort: Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten, ggf. ist eine 2. Gruppe an Dienstag Vormittag möglich. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 16.04. um 14:15 Uhr im Waeber-Saal am Fraunhofer Institut IISB (Schottkystr.10)! ; Anmeldung über StudOn (http://www.studon.uni-erlangen.de/crs445697.html)
Vorbesprechung: 16.4.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, Raum Hans-Georg-Waeber-Saal

Studienfächer / Studienrichtungen
WPF ME-DH-PEEI ab 5
WPF EEI-DH-AET ab 6
WPF EEI-DH-LE ab 6
WPF EEI-DH-MIK ab 6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-S 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1

Inhalt
Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Empfohlene Literatur
  • Frey, L.: Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)
  • Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

ECTS-Informationen:
Title:
Laboratory on Silicon Semiconductor Processing

Credits: 2,5

Prerequisites
Technology of Silicon Semiconductor Devices, Part I and II

Contents
The practical lab course in silicon semiconductor technology offers first insights into the practice of semiconductor technology. In the course of the fabrication of a solar cell, the process steps of oxidation, implantation, lithography, etching, and metallization are performed. Furthermore, important measurement techniques such as film thickness measurement and sheet resistivity measurement techniques are presented. Finally, the manufactured solar cells are electrically characterized (efficiency etc.).

Literature
  • Silicon Semiconductor Technology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
  • Frey, L.: Technologie integrierter Schaltungen and Prozessintegration und Bauelementearchitekturen, lecture scripts (available at Chair of Electron Devices)

  • Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 12
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/
Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich.
Die Anmeldung erfolgt über: StudOn

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester SS 2012:
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente (TESIPRAK)

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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