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Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>

  Entwurf Integrierter Schaltungen I (EIS1)

Dozent/in
Prof. Dr.-Ing. Sebastian M. Sattler

Angaben
Vorlesung
3 SWS, Kredit: 4/4, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Di 14:00 - 16:15, SR 01.030; Bemerkung zu Zeit und Ort: Röthelheim-Campus, Paul-Gordan-Str. 5, LZS

Studienfächer / Studienrichtungen
WPF CE-BA-TA-ME 3
WPF CE-BA-TW 3
PF EEI-DH-MIK 5
WPF EEI-DH-AET 5-9
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF IuK-DH-ES-EEI1 5-9 (ECTS-Credits: 6)
WPF IuK-DH-REA-EEI1 5-9 (ECTS-Credits: 6)
WPF IuK-BA 5
WPF ME-DH-VF9 7-9 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-BA-MG9 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF WING-MA 1-4

Voraussetzungen / Organisatorisches
Erlaubte Hilfsmittel bei Prüfungen:
  • schriftlich: beliebige Unterlagen

  • mündlich: keine

Inhalt
Teil 1 der Vorlesung führt in den Entwurf Integrierter Schaltungen und die dazu benötigten Grundlagen ein. Hierzu gehören die Technologie und Herstellung von Integrierten Bausteinen (vor allem CMOS, aber auch Bipolar- und Mischprozesse), aber auch der Einfluß der Entwurfsautomatisierung und von Markttrends. Verschiedene Entwurfsstile und die Grundlagen der elektrischen Schaltungsentwicklung und -simulation in ICs gezeigt an den wichtigsten Grundschaltungen werden dargestellt. Auch das transistororientierte Layout mit geometrischen Designregeln und die zugehörige Layoutverifikation wird gezeigt. Kapitel über Leitungen, Verbindungen und Aufbautechniken von ICs, Multichip-Module und Speichertechniken folgen.

Empfohlene Literatur
Geiger R. L.; Allen P. E.; Strader N. R.: VLSI Design Techniques for Analog and Digital Circuits. McGraw-Hill. ISBN: 0-07-100728-8
Uyemura J. P.: Circuit design for CMOS VLSI. Kluwer Academic Publ., 1992, ISBN: 0-7923-9184-5

ECTS-Informationen:
Title:
Design of Integrated Circuits I

Credits: 5

Contents
Part 1 is the introduction into fundamentals of integrated circuit technology and fabrication (CMOS, bipolar and mixed technologies will be mentioned). The influence of yield, cost and market considerations and typical design flows and styles (Gate-Array, Standard Cells, Full Custom) are shown. MOS-transistor, MOS-models and basics of electrical design for analog/digital circuits and memories. Simulation on circuit level. Polygon-based layout, geometric design rules based on technology and electrical requirements. Wires/connections on ICs and packaging techniques for ICs.

Zusätzliche Informationen
Schlagwörter: Entwurf, Mikroelektronik, integrierte Schaltung, IC, Transistor, CMOS, Layout, Simulation, Speicher, Leitung, Entwurfsautomatisierung
Erwartete Teilnehmerzahl: 20
www: http://www.lzs.eei.uni-erlangen.de/Lehrangebot/EIS%20I

Zugeordnete Lehrveranstaltungen
UE: Übungen zu Entwurf Integrierter Schaltungen I
Dozent/in: Dipl.-Ing. Jidan Al-Eryani
Zeit und Ort: Di 16:30 - 17:15, SR 01.030; Bemerkung zu Zeit und Ort: Röthelheim-Campus, Paul-Gordan-Str. 5
www: http://www.lzs.eei.uni-erlangen.de/Lehrangebot/EIS%20I

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2010/2011:
Entwurf Integrierter Schaltungen I (EIS1)

Institution: Lehrstuhl für Zuverlässige Schaltungen und Systeme
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