|
|
Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>
|
Einführung in die Rasterelektronenmikroskopie (EinfREM)- Dozentinnen/Dozenten
- Dr. rer. nat. Benjamin Butz, Prof. Dr. rer. nat. Erdmann Spiecker
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 3, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Di 8:15 - 9:45, H5
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WF MWT-MA-EL ab 1 (ECTS-Credits: 3)
- Inhalt
- Die Vorlesung gibt eine Einführung in die Grundlagen der Rasterelektronenmikroskopie (REM) wie auch moderner verwandter Methoden (Dual-Beam FIB, He-Ionenmikroskopie). Sie zeigt die weitreichenden Möglichkeiten dieser Techniken zur Charakterisierung von Werkstoffen auf der Nanometerskala auf. Die Teilnehmer erarbeiten sich ein praxisnahes Verständnis der zugrunde liegenden Prozesse und lernen, eigenständig abbildungsrelevante Parameter zu analysieren und zu optimieren.
Warum nutzen wir Elektronen zur Abbildung? — Die Vorlesungseinführung beschäftigt sich mit dem Aufbau und den Abbildungseigenschaften eines modernen Mikroskops. Hierdurch lernen die Teilnehmer die Vorteile von Elektronen gegenüber Licht kennen und können die für die Abbildung optimalen Bedingungen und –parameter erläutern.
Was beschränkt die räumliche Auflösung? Wie kommen Kontraste zustande? Welchen Detektor verwende ich? — Ein wichtiger Teil der Vorlesung beschäftigt sich mit den zugrunde liegenden physikalischen Prozessen, der elastischen und inelastischen Wechselwirkung von Elektronen mit Materie sowie der Vielfachstreuung von Elektronen im Festkörper. Diese Grundlagen ermöglichen es den Teilnehmern, die Eigenheiten (z.B. Kontrastmechanismus, räumliche Auflösung) der verschiedenen Abbildungsmodi (Sekundär-, Rückstreuelektronenabbildung, Transmissionsmessungen) zu vergleichen. Ferner lernen die Teilnehmer die praxisrelevanten Parameter wie Beschleunigungsspannung, Blendengröße/Konvergenzwinkel und Strahlstrom kennen, um den optimalen Modus sowie geeignete Arbeitsbedingungen für die jeweilige Fragestellung in der eigenen Forschungsarbeit identifizieren zu können.
Topographische und chemische Abbildungen sind nicht alles! — Wie die Teilnehmer im Rahmen einer Posterpräsentation erarbeiten werden, gibt es eine Vielzahl fortgeschrittener REM-Techniken, die weit über die topographische und chemische Untersuchung Oberflächen hinausgehen und es erlauben, wichtige Erkenntnisse über die Beziehung zwischen Struktur/Chemie und den Eigenschaften von Werkstoffen zu erlangen. Im weiteren Verlauf der Vorlesung lernen die Teilnehmer wichtige komplementäre Methoden kennen. Gerade die zuvor genannten inelastischen Streuprozesse spielen z.B. in der quantitativen Röntgenanalytik eine grundlegende Rolle. Die Inhalte der Vorlesung können im Rahmen des mehrtägigen REM-Praktikums, das im Anschluss an das Sommersemester stattfinden wird, praktisch vertieft werden.
- Empfohlene Literatur
- Ludwig Reimer, Scanning Electron Microscopy, Springer Verlag, 1985
E. Fuchs, H. Oppolzer, H. Rehme, Particle Beam Microanalysis, VCH Verlagsgesellschaft, 1990 P.J. Goodhews, F.J. Humphreys, R. Beanland, Electron Microscopy and Analysis, 3rd edition, Taylor and Francis 2000 Joseph I. Goldstein, Harvey Yakowitz, Practical Scanning Electron Microscopy, Plenum Press 1975
- ECTS-Informationen:
- Credits: 3
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 20
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Biomaterialien)
|
 |
|
|
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
|
|