|
|
Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>
|
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 3
nur Fachstudium
Zeit und Ort: Di 14:15 - 15:45, 3.71
- Studienfächer / Studienrichtungen
- PF WW-MA-WET 1 (ECTS-Credits: 3)
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- WW Prüfung Nr. 6 / Prüfung: mündlich
- Inhalt
- Halbleitertechnologie I
In dieser Vorlesung werden die wichtigsten Verfahren zur Herstellung von elektronischen Halb¬leiterbauelementen aus Silizium besprochen.
Die wesentlichen Techniken betreffen dabei die Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplanta¬tion, die Oxidation von Si zu SiO2, sowie die Metallisierung. Weiterhin werden die Grundprin¬zipien der lateralen Strukturierung mithilfe der Photolithographie und Ätztechniken besprochen.
- Empfohlene Literatur
- K. Schade:"Mikroelektroniktechnologie"
Widmann, Mader, Friedrich:"Technologie hochintegrierte Schaltungen
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Fundamentals of Semiconductor technology
- Credits: 3
- Prerequisites
- WW Test No. 6 / oral
- Contents
- Semiconductor Technology I
This course introduces the most important technologies which are used to fabricate electronic devices based on the semiconductor silicon.
The most important techniques to be discussed are doping by diffusion and ion implantation, oxidation of Si to SiO2, as well as metallization.
A further important topic is the planar technology, as photolithography and etching techniques.
- Literature
- K. Schade:"Mikroelektroniktechnologie" Verlag Technik Berlin (1991)
Widmann, Mader; Friedrich:"Technologie hochintegrierter Schaltungen, Springer Verlag (1996)
A.S. Grove:"Physics and Technology of Semiconductor devices, John Wiley (1976)
- Zusätzliche Informationen
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektronik und Energietechnik)
|
 |
|
|
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
|
|