Crystal Growth 1 - Wide Bandgap Semiconductors- Verantwortliche/Verantwortlicher
- N.N.
- Angaben
- Vorlesung
Präsenz
1 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2
nur Fachstudium, Sprache Deutsch oder Englisch
Asynchrone Lehrveranstaltung, https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=crs_359146
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF MWT-MA-WET 2 (ECTS-Credits: 2)
WPF ET-MA-MWT 2 (ECTS-Credits: 2)
WPF NT-MA 2 (ECTS-Credits: 2)
- Inhalt
- Overview on Wide Bandgap Semiconductors with special emphasis on the materials Diamond, SiC, GaN, AlN, ZnSe, ZnO and Ga2O3, doping, polytypism, solution growth, vapor growth
- ECTS-Informationen:
- Credits: 2
- Zusätzliche Informationen
- Schlagwörter: Wide Bandgap, Semiconductor, Diamond, SiC, GaN, AlN, ZnSe, ZnO, Ga2O3
Erwartete Teilnehmerzahl: 20, Maximale Teilnehmerzahl: 20
www: https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=crs_4514743
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2022/2023:
- Crystal Growth 1 (cgl-1)
- Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing (SF- Ch- M&P)
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
Kurse
| | | | jede 2. Woche Mo | 12:15 - 13:45 | 3.71 | | Kurs https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=crs_4514743, erwartete Teilnehmer: 20, maximale Teilnehmer: 30 |
| | Peter Wellmann
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