Halbleiter- und Bauelementemesstechnik5 ECTS
(englische Bezeichnung: Semiconductor and Device Measurement Techniques)

Lehrveranstaltungen:

• • Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
    (Vorlesung, 3 SWS, Andreas Hürner et al., Di, 8:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal)
  • Übung zu Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
    (Übung, 1 SWS, Sebastian Polster et al., Termin der Übung ist vorläufig und wird in der ersten Semesterwoche in Absprache mit den Studenten festgelegt.)

Empfohlene Voraussetzungen:

• Basiswissen zur Physik (Abitur) notwendig

• Grundkenntnisse zu Halbleiterbauelementen (z.B. Präsenzvorlesung „Halbleiterbauelemente“ oder vhb-Vorlesung „Halbleiterbauelemente“)
  

Inhalt:

In der Vorlesung Halbleiter- und Bauelementemesstechnik werden die wichtigsten Messverfahren, die zur Charakterisierung von Halbleitern und von Halbleiterbauelementen benötigt werden, behandelt. Zunächst wird die Messtechnik zur Charakterisierung von Widerständen, Dioden, Bipolartransistoren, MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren behandelt. Dabei werden die physikalischen Grundlagen der jeweiligen Bauelemente kurz wiederholt. Im Bereich Halbleitermesstechnik bildet die Messung von Dotierungs- und Fremdatomkonzentrationen sowie die Messung geometrischer Dimensionen (Schichtdicken, Linienbreiten) den Schwerpunkt.

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

Anwenden

erklären physikalilsche und elektrische Halbleiter- und Bauelementemess- und Analysemethoden

vergleichen die Vor- und Nachteile sowie die Grenzen der verschiedenen Verfahren

Analysieren

analysieren, welches Verfahren für welche Fragestellung geeignete ist

Evaluieren (Beurteilen)

bewerten die mit den unterschiedlichen Verfahren erzielten Messergebnisse

Literatur:

• Vorlesungsskript

• Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006

• W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998

• A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001
  

Weitere Informationen:

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:

1. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015s | Masterprüfung | Studienrichtung Mikroelektronik | Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Halbleiter- und Bauelementemesstechnik)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Halbleiter- und Bauelementemesstechnik_ (Prüfungsnummer: 62101)

Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

weitere Erläuterungen:
bei geringer Teilnehmerzahl mündliche 30-minutige Prüfung

Erstablegung: SS 2015, 1. Wdh.: WS 2015/2016, 2. Wdh.: keine Wiederholung

1. Prüfer:

Lothar Frey

Termin: 02.10.2015, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 01.04.2016
Termin: 07.10.2016, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 12.04.2017