Crystal Growth 1 (cgl-1)5 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal Growth 1)
(Prüfungsordnungsmodul: Crystal Growth 1)

Lehrveranstaltungen:

• • Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2022/2023)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 15:45, 3.71; Termine: 24.Okt 22 / 7.Nov 22 / 21.Nov 22 / 05.Dez 22 / 19.Dez 22 / 16.Jan 23 / 30.Jan 23)
  • Crystal Growth 1 - Wide Bandgap Semiconductors (SS 2023)
    (Vorlesung, 1 SWS)

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)

• Vertiefung: Halbleiter großer Bandlücke

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen. Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Energietechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2018w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | Modulgruppe Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT) | Wahlpflichtmodul Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT3) | Crystal Growth 1)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth 1 (Prüfungsnummer: 62591)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 15, benotet, 5 ECTS

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Prüfungssprache: Deutsch oder Englisch

Erstablegung: WS 2022/2023, 1. Wdh.: SS 2023

1. Prüfer:

Peter Wellmann