Leistungshalbleiterbauelemente (LHBL)5 ECTS
(Prüfungsordnungsmodul: Leistungshalbleiter-Bauelemente)

Lehrveranstaltungen:

• • Leistungshalbleiterbauelemente
    (Vorlesung, 2 SWS, Tobias Erlbacher, Mo, 14:00 - 15:30, 0.111)
  • Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente
    (Übung, 2 SWS, Andreas Hürner, Mo, 12:15 - 13:45, 0.111; ab 21.10.2013; Die Übung startet in der zweiten Vorlesungswoche)

Inhalt:

In nahezu allen Feldern der Elektrotechnik, von der Energieerzeugungs- und Übertragungstechnik über die Kfz- und Industrieelektronik bis hin zu Geräten der Konsumelektronik und Datentechnik kommen heute leistungselektronische Systeme zum Einsatz. Dies ist nur möglich durch die Verfügbarkeit einer großen Palette unterschiedlicher aktiver Leistungshalbleiterbauelemente und Smart-Power ICs für typische Leistungen von < 1 W bis > 1 MW bei Spannungsfestigkeiten von 10 V bis 10 kV bzw. Stromtragfähigkeit der Bauelemente von 0.1 A bis > 3 kA. In der Vorlesung werden die Grundlagen zum Verständnis dieser Bauelemente sowie die unterschiedlichen technischen Realisierungsformen behandelt.

Die Vorlesung beginnt mit einer detaillierten Darstellung der für alle Leistungshalbleiterbauelemente maßgeblichen bauelementphysikalischen Grundphänomene, die die Spannungsfestigkeit im ausgeschalteten Zustand, Spannungsabfall und Stromtragfähigkeit im eingeschalteten Zustand und Schaltdynamik beim Umschalten vom eingeschalteten in den ausgeschalteten Zustand und umgekehrt bestimmen. Darauf aufbauend werden Grundprinzip, technische Ausgestaltung, Herstellungsverfahren und typische Leistungsdaten der wichtigsten Bauelementklassen behandelt. Neben der Diskussion der "klassischen" Leistungshalbleiterbauelemente Hochspannungsdiode, Thyristor, GTO und Bipolarer Leistungstransistor wird ausführlich auf moderne MOS-gesteuerte Leistungshalbleiterbauelemente wie Leistungs-MOSFETs und IGBTs eingegangen. Aktuelle Entwicklungstrends werden diskutiert. Über Smart-Power ICs, das sind monolithisch integrierte Schaltkreise, bei denen zusammen mit informationsverarbeitenden Schaltungen auch typische leistungselektronische Schaltungen auf einem Chip integriert sind, wird ein kurzer Überblick gegeben. Die ausführliche Behandlung von Technologien und Bauelementen zur Herstellung von Smart-Power ICs ist Gegenstand der Vorlesung Smart-Power Technologien im SS. Die Vorlesung Leistungshalbleiterbauelemente bietet das Bauelementegrundwissen für die Vorlesungen "Elektrische Antriebstechnik I + II" und "Leistungselektronik", "Schaltnetzteile", und "Pulsumrichter für elektrische Antriebe".

Literatur:

• Fundamentals of Power Semiconductor Devices, B. J. Baliga, Springer, New York, 2008 ISBN: 978-0-387-47313-0

• Halbleiter-Leistungsbauelemente, Josef Lutz, Springer, Berlin, 2006 ISBN: 978-3-540-34206-9

• Leistungselektronische Bauelemente für elektrische Antriebe, Dierk Schröder, Berlin, Springer, 2006 ISBN: 978-3-540-28728-5

• Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, Wiley, 1967, ISBN: 978-0-471-32998-5

• Power Microelectronics - Device and Process Technologies, Y.C. Liang und G.S. Samudra, World Scientific, Singapore, 2009 ISBN: 981-279-100-0

• Power Semiconductors, S. Linder, EFPL Press, 2006, ISBN: 978-0-824-72569-3

• V. Benda, J. Gowar, D. A. Grant, Power Semiconductor Devices, Wiley, 1999

Weitere Informationen:

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Berufspädagogik Technik (Master of Education)
   (Po-Vers. 2010 | Masterprüfung | Wahlpflichtmodule Fachwissenschaft | Leistungshalbleiter-Bauelemente)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Leistungshalbleiter-Bauelemente_ (Prüfungsnummer: 62801)

Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014, 2. Wdh.: WS 2014/2015

1. Prüfer:

Lothar Frey

Termin: 02.04.2014, 16:00 Uhr, Ort: H 12
Termin: 30.09.2014, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 08.04.2015, 13:00 Uhr, Ort: K 1 TechF
Termin: 07.10.2015