Crystal Growth NT (CG NT)15 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal Growth NT)
(Prüfungsordnungsmodul: Werkstoffwissenschaftliches Wahlmodul I und II)

Lehrveranstaltungen:

• • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2015)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 15.4.2015-6.5.2015 Mi, Blockveranstaltung 17.6.2015-15.7.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
  • Exkursionen (SS 2015)
    (Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
  • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2014/2015)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mo, 14:15 - 15:45, 3.71)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2014/2015)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
• Wahlvorlesungen

  Bitte 5,5 ECTS wählen

  • Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2015 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2015 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 27.5.2015-10.6.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2014/2015 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Kristallwachstum - Ausgewählte Kapitel

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Ausgewählte Kapitel

• Kristallwachstum für solare Anwendungen
  

Praktikum

• Czochralski Kristallwachstum von InSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung
  

Lernziele und Kompetenzen:

• Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen.

• Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit
  

Literatur:

Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Nanotechnologie (Master of Science)
   (Po-Vers. 2011 | Wahlmodule (Module M5 bis M8) | Werkstoffwissenschaftliches Wahlmodul I und II)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth NT (Prüfungsnummer: 688067)

(englischer Titel: Crystal Growth NT)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2014/2015, 1. Wdh.: SS 2015

1. Prüfer:

Peter Wellmann