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Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; n.V.					Frey, L.
Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB] VORL; 1,5 SWS; ECTS: 2,5; Di, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Zeit und Raum nach Vereinbarung in Absprache mit Dozenten; Am 30.10. findet die Vorlesung im Seminarsaal 2 am Fraunhofer IISB statt.; Vorbesprechung: 16.10.2012, 12:15 - 13:45 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-BA-MG3 3-6 WPF ME-BA-MG11 3-6 WPF ME-MA-MG3 1-3 WF EEI-BA ab 5 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-MA-MG11 1-3	März, M.
Übung zu Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB Ü] UE; 0,5 SWS; Übungseinheiten im Umfang von 0,5 SWS finden im Rahmen des Vorlesungstermines statt.; Termine der Übung nach Absprache in der Vorlesung					März, M.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:15 - 15:45, 0.111; Vorbesprechung: 16.10.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111				WPF ME-DH-SEM 5-13 WPF ME-MA 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Grandrath, Ch.
Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr] VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 12:30 - 14:00, Raum n.V.; Seminarsaal I (Schottkystr. 10, 1. OG);; Vorbesprechung: 17.10.2012, 12:30 - 14:00 Uhr					Schmidt, K. Jank, M.
Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente" EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.					Grandrath, Ch.
Forschungspraktikum am LEB SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>					Dirnecker, T. Grandrath, Ch.
Halbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Mo, 18:15 - 19:45, H11				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 4 PF EEI-BA-S 2 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente TUT; 2 SWS				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 4 PF EEI-BA-S 2 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Hürner, A.
	Mo	16:15 - 17:45	H4		Hürner, A.
	1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters				Hürner, A.
	Mi	18:15 - 19:45	H8		Hürner, A.
Übungen zu Halbleiterbauelemente UE; 2 SWS				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 4 PF EEI-BA-S 2 PF WING-BA-IKS 5 PF BPT-BA-E 3	Hürner, A.
	Mo	14:15 - 15:45	H6		Hürner, A.
	Di	16:15 - 17:45	HA		Hürner, A.
Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES] SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 13:00 - 15:00, 0.111; Vorbesprechung: 16.10.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111					Wunder, B. Dirnecker, T.
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.					Bauer, A.
Leistungshalbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Di, 10:15 - 11:45, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-MA-EuA 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3	Erlbacher, T. Frey, L.
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente UE; 2 SWS; ben. Schein; Mo, 14:15 - 15:45, 0.111; ab 22.10.2012				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 WPF EEI-MA-EuA 1-4 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3	Erlbacher, T. Frey, L.
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling VORL; 2 SWS; Do, 12:00 - 13:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-MA ab 1 WF ME-DH ab 7 WF AOT-GL ab 1	Erdmann, A.
Übung zu Optical Lithography UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Mi, 9:00 - 10:30, AOT-Bibliothek				WF AOT-GL ab 1	Erdmann, A.
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet als Blockpraktikum in den Winterferien statt, vorraussichtlich an 2 aufeinanderfolgenden Wochen zwischen dem 26.02. und 28.03.2013.; Vorbesprechung: 15.10.2012, 14:50 - 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-DH-PEEI 5-10	Grandrath, Ch.
Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung: 17.10.2012, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111				WPF EEI-BA-MIK 5-6
	Mi	13:00 - 17:00	BR 1.161		Scharin, M. Grandrath, Ch.
	Mi	13:00 - 17:00	n.V.		Frickel, J. u.a.
	Mi	13:00 - 17:00	EL 4.13		Rascher, J. u.a.
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Mi, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Mi, 8:30 - 10:00, 0.111; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 15.10.2012 um 15:00 Uhr im Hans-Georg-Waeber-Saal! ANMELDUNG über StudON; Vorbesprechung: 15.10.2012, 15:00 - 16:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-DH-PEEI 5-10 WPF EEI-BA-MIK ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF EEI-MA-LE ab 1 WPF EEI-BA-LE ab 5 WPF ME-MA-P 1-3	Dirnecker, T. Assistenten
Produktion in der Siliciumtechnologie VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Di, 16:00 - 17:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-BA-MG8 3-6 WPF ME-MA-MG8 1-3	Frey, L. Frick, Th.
Virtuelle Übung zu Produktion in der Siliciumtechnologie UE; 1 SWS; Anmeldung über die Internetseite des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente; zur Verbesserung der Prüfungsvorbereitung LEB-Teil					Assistenten
Reinraumpraktikum [RRPrak] PR; ECTS: 5; Teilnahme an Vorbereitungstreffen verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten (08:00-12:00 oder 13:00-17:00) werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.				PF NT-BA 5	Grandrath, Ch. Scharin, M.
	Einzeltermin am 18.10.2012	8:15 - 9:45	0.111		Grandrath, Ch. Hürner, A. Scharin, M.
	Do	8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00	BR 1.161		Grandrath, Ch. Hürner, A. Scharin, M.
	Do Do Einzeltermin am 6.12.2012	8:00 - 9:00 13:00 - 14:00 13:00 - 14:00	0.111 0.111 1.225		Hürner, A. Grandrath, Ch. Scharin, M.
	Do	9:00 - 13:00, 14:00 - 18:00	BR 1.161		Betreuer
	Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.				Betreuer
Seminar über Studentische Arbeiten SEM; 2 SWS; Fr, 10:30 - 12:15, 0.111, (außer Fr 7.12.2012); bis zum 29.3.2013; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden					Dirnecker, T. Wunder, B.
Technik der Halbleiterfertigungsgeräte VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Mi, 15:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Vorbesprechung: 17.10.2012, 15:30 - 16:30 Uhr				WF EEI-MA ab 1 WF EEI-BA ab 5 WF MB-DH 5-10 WPF ME-DH-VF8 5-7 WPF ME-BA-MG8 3-6 WPF ME-MA-MG8 1-3 WF WW-DH-EL 7-13	Pfitzner, L. Schmutz, W.
Technologie integrierter Schaltungen VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mo, 10:15 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-DH-VF13 5-7 WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG12 3-6 WPF ME-MA-MG12 1-3 WPF ME-BA-MG11 3-6 WPF ME-MA-MG11 1-3 WF NT-MA ab 1	Frey, L.
Übung zu Technologie integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Do, 16:15 - 17:45, 0.111, (außer Do 6.12.2012); ab 22.10.2012				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI ab 5 WPF ME-DH-VF13 5-7 WPF ME-BA-MG12 3-6 WPF ME-MA-MG12 1-3 WPF ME-BA-MG11 3-6 WPF ME-MA-MG11 1-3 WF NT-MA ab 1	Scharin, M.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.
Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Mi, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, (außer Mi 31.10.2012, Mi 7.11.2012); Einzeltermin am 7.11.2012, 12:15 - 13:45, 0.111; Vorlesung findet am 31.10. im Seminarraum 2 am IISB statt				WPF ME-DH-VF11 5-7 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-BA-MG11 3-6 WPF ME-MA-MG11 1-3	Pichler, P.
Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; ben. Schein; Zeit und Ort nach Vereinbarung				WPF ME-DH-VF11 5-7 WPF ME-BA-MG11 3-6 WPF ME-MA-MG11 1-3	Pichler, P.



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Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB]

Übung zu Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB Ü]

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Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

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