Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie [SEM TeSi]

Dozent/in:

Julian Schwarz

Angaben:

Seminar, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium

Termine:

Di, 14:15 - 15:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6

Inhalt:

Ziel des Seminars ist die selbstständige Erarbeitung und schlüssige Darstellung eines Themas aus dem Gebiet der Silicium-Halbleitertechnologie. Als Grundlage dienen dabei Literaturvorgaben der Betreuer, die durch eigene Recherchen ergänzt werden sollen. Die Teilnehmer referieren im Rahmen eines 30-minütigen Vortrags über ihre Ergebnisse. Die Einzelthemen werden in jedem Semester aus einem anderen Schwerpunkt gewählt. In den letzten Semestern wurden beispielsweise Schwerpunktthemen wie "Bauelementetechnologien", "Mikrosystemtechnik", "Kontamination in der Halbleiterelektronik" oder "Bauelemente-, Prozess- und Anlagensimulation" behandelt.

Empfohlene Literatur:

• Frey, L. und Ryssel, H.: Folien der Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)

Einführung in Quantentechnologien [QTech-V]

Dozent/in:

Roland Nagy

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS

Termine:

Di, 12:15 - 13:45, Raum n.V.
Vorlesung findet über Zoom statt, Zugungsdaten im StudOn-Bereich

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG5 4-6
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-BA-AET ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-MA-AET ab 1
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG5 1-3
WF IuK-BA ab 5

Inhalt:

Die Vorlesung Einführung in Quantentechnologien vermittelt den Studierenden der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen von Quantentechnologien. Die Quantentechnologie ist eine neue Forschungsrichtung, die das Potential besitzt, aktuelle Technologien zu revolutionieren. In der Vorlesung werden relevante Themen aus der Quantenmechanik in Bezug auf Anwendungen im Bereich der Quantensensorik, Quantenkommunikation und Quantencomputer dargestellt. Im Bereich der Quantenmechanik sollen Grundlagen sowie quantenmechanische Effekte vermittelt werden, die für das Verständnis von Quantentechnologien wichtig sind.

Empfohlene Literatur:

• Haken, Herrmann & Wolf, Hans Christoph (2004): Atom- und Quantenphysik
  

• Nolting, Christoph (2009): Grundkurs Theoretische Physik 5/1: Quantenmechanik – Grundlagen
  

Übungen zu Einführung in Quantentechnologien

Dozentinnen/Dozenten:

Roland Nagy, Andre Pointner

Angaben:

Übung, 2 SWS

Termine:

Do, 10:15 - 11:45, Raum n.V.
Vorlesung findet über Zoom statt, Zugungsdaten im StudOn-Bereich

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG5 4-6
WPF ME-MA-MG5 1-3

Forschungspraktikum am LEB (10 ECTS) (Prak FOR-LEB_10) [Prak FOR-LEB_10]

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Sonstige Lehrveranstaltung, Schein, ECTS: 10, Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master

Termine:

Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master;

Halbleiter- und Bauelementemesstechnik [HBMT-V]

Dozent/in:

Sven Berberich

Angaben:

Vorlesung, 3 SWS, benoteter Schein, ECTS: 5, nur Fachstudium

Termine:

Mo, 8:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF WW-DH-MIC ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-BA-MG4 5-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF MWT-MA-MIC ab 1
WF MWT-BA 5-6
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Inhalt:

In der Vorlesung Halbleiter- und Bauelementemesstechnik werden die wichtigsten Messverfahren, die zur Charakterisierung von Halbleitern und von Halbleiterbauelementen benötigt werden, behandelt. Zunächst wird die Messtechnik zur Charakterisierung von Widerständen, Dioden, Bipolartransistoren, MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren behandelt. Dabei werden die physikalischen Grundlagen der jeweiligen Bauelemente kurz wiederholt. Im Bereich Halbleitermesstechnik bildet die Messung von Dotierungs- und Fremdatomkonzentrationen sowie die Messung geometrischer Dimensionen (Schichtdicken, Linienbreiten) den Schwerpunkt.

Empfohlene Literatur:

Vorlesungsskript

Schlagwörter:

Halbleiterbauelemente, Messtechnik

Übung zu Halbleiter- und Bauelementemesstechnik [HBMT-Ü]

Dozent/in:

Sven Berberich

Angaben:

Übung, 1 SWS

Termine:

Vorlesung und Übung werden zunächst im digitalen Format über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs2839802.html) stattfinden.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF WW-DH-MIC ab 5
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-BA-MG4 5-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF MWT-MA-MIC ab 1
WF MWT-BA ab 5
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Halbleiterbauelemente

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 5, Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
PF ME-BA 4

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Zur Vorlesung wird eine Übung (2 SWS) sowie ein Tutorium angeboten. Informationen zu diesen Veranstaltungen finden Sie im Informationssystem UnivIS.

Inhalt:

Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.

Empfohlene Literatur:

• Vorlesungsskript, am LEB erhältlich

• Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997

• Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995

Schlagwörter:

Bauelemente, Halbleiter

Tutorium Halbleiterbauelemente

Dozent/in:

Christian Martens

Angaben:

Tutorium, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Di, 12:15 - 13:45, HH
Erster Termin: wird noch bekanntgegeben

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV 5-6
PF ME-BA 4

Inhalt:

Im Tutorium Halbleiterbauelemente bearbeiten die Teilnehmer in Kleingruppen ehemalige Klausuraufgaben. Die Betreuer stehen ihnen dabei zur Diskussion und Hilfestellung zur Verfügung.

Übungen zu Halbleiterbauelemente

Dozent/in:

Christian Martens

Angaben:

Übung, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Do, 8:15 - 9:45, H15

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
PF ME-BA 4

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWER]

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Stolzke, u.a.

Angaben:

Seminar, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 2,5, Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an Tobias Dirnecker (tobias.dirnecker@fau.de)

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WF ME-BA-SEM 6
WF ME-MA-SEM 3

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Kenntnisse aus dem Bereich Leistungshalbleiterbauelemente, Modul Leistungshalbleiterbauelemente empfohlen.

Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik [KO HLMT]

Dozent/in:

Anton Bauer

Angaben:

Kolloquium, 1 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal

Inhalt:

In einem gemeinsamen Kolloquium des Lehrstuhles für Elektronische Bauelemente und des Fraunhofer Institutes für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie werden aktuelle Themen der Halbleitertechnologie in Vorträgen vorgestellt. Die Vorträge von eingeladenen Gästen und Mitarbeitern des Lehrstuhles und des Fraunhofer Institutes behandeln eigene und externe Forschungsvorhaben aus den Gebieten elektronische Bauelemente, Halbleiter-Prozesstechnik, Fertigungstechniken und -geräte der Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, Technologiesimulation und Verfahren der Prozesskontrolle, Fehleranalyse und Qualitätssicherung.

Nano IV: Halbleiter [Nano IV]

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie.

Termine:

Do, 10:15 - 11:45, 0.111
Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie. Die Veranstaltung wird zunächst im digitalen Format über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs2847766.html) stattfinden.

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF NT-BA 4

Inhalt:

• Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter

• Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter

• Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren)

• Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
  

Empfohlene Literatur:

• Vorlesungsskript, am LEB erhältlich

• R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002

• D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002

• D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
  

Nanoelektronik [NANOEL]

Dozent/in:

Michael Jank

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 2,5

Termine:

Di, 12:15 - 12:45, Raum n.V.
Eine Einführung in das Arbeitsmaterial bzw. Sprechstunde findet regelmäßig über Zoom statt, Anmeldung und Zugang zu Vorlesungsunterlagen und weiteren Informationen über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs3703347_join.html).

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF NT-MA 2
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Organisatorisches:

Die Veranstaltung findet im digitalen Format über die StudOn-Plattform statt. Studierende der Nanoelektronik (Master) sind automatsch freigeschaltet (Pflichtfach). Für Studierende anderer Studiengänge erfolgt die Zulassung gerne nach Anfrage.

Inhalt:

Der Kurs vermittelt die technologischen Grundlagen heutiger höchstintegrierter Schaltungen und greift Aspekte und Lösungsvorschläge für zukünftige KI-Systeme und Quantencomputer auf. Ein Schwerpunkt liegt in der Darstellung der nanotechnologischen Ansätze.

Inhaltsverzeichnis

• Einführung Nanoelektronik

• Wiederholung MOS-Feldeffekttransistoren

• MOS-basierte Speicherbauelemente

• Alternative Gatedielektrika und Halbleiter

• Kurzkanaleffekte in MOS-Bauelementen

• Mehrfachgate-Architekturen

• Integration von Nanowires

• Graphen und 2D-Materialien

• Alternative Speicherbauelemente

• Neuromorphe Systeme

• Quantenbauelemente und -computing

• Grenzen der Skalierung
  

Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik [Prak HLMT]

Dozentinnen/Dozenten:

Julius Marhenke, Michael Niebauer

Angaben:

Praktikum, 3 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium

Termine:

Ggf. findet das Praktikum - in Abstimmung mit den Studierenden in der Vorbesprechung - als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Anmeldung über StudOn.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 2-3

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

Inhalt:

Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.

Empfohlene Literatur:

• Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006

• W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998

• A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001

Praktikum Mechatronische Systeme [MechSysPrak]

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Praktikum, 6 SWS, Schein, ECTS: 5, nur Fachstudium, Hinweis: die Veranstaltung wird in diesem Semester zunächst digital beginnen. Spätere Präsenztermine sind ggf. möglich. Weitere Informationen im StudOn-Bereich zum Praktikum.

Termine:

Vorbesprechung: Mittwoch, 14.4.2021, 14:00 - 16:00 Uhr, Zoom-Meeting

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF ME-BA 4

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Die Anmeldung zum Kurs erfolgt über StudON. Anmeldung ist nötig! Bitte melden Sie sich ab dem 15.03.2021 zum Kurs an. Weitere Informationen finden Sie im StudOn-Bereich zum Praktikum Mechatronische Systeme. Link zur StudOn-Seite: https://www.studon.fau.de/cat5446.html

Schlagwörter:

Mechatronik, Praktikum Mechatronische Systeme

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Stolzke, Tobias Dirnecker

Angaben:

Praktikum, 3 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-MIK 5-6

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar.

Inhalt:

Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen.

Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrstühle mindestens ein Versuch ausgewählt werden.
Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten:

LEB 1 - Charakterisierung von MOSFETs
LEB 2 - Charakterisierung von pn-Dioden
LEB 3 - Charakterisierung von MOS-Kondensatoren
LEB 4 - Haynes-Shockley-Experiment
LTE 1 - Analog circuit design (schematic)
LTE 2 - Analog circuit design (layout)
LTE 3 - Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet
LTE 4 - Diskreter Delta-Sigma ADU
LZS 1 - Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS)
LZS 2 - Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle
LIKE 1 - Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE)
LIKE 2 - Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf

Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente - Entfällt im Sommersemester 2021 [Prak TeSi]

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Praktikum, 3 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Entfällt im Sommersemester 2021

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-3

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Voraussetzung: Modul Technologie Integrierter Schaltungen und/oder Prozessintegration und Bauelementearchitekturen

Inhalt:

Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Empfohlene Literatur:

• Frey, L.: Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)

• Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Prozess- und Bauelemente-Simulation [SimP&B-V]

Dozent/in:

Jürgen Lorenz

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Online-Vorlesung, Zugangsdaten nach Anmeldung bei juergen.lorenz@iisb.fraunhofer.de. Zur Lehrveranstaltung werden freiwillige Übungen angeboten, ebenfalls online.

Termine:

Do, 16:00 - 17:30, Raum n.V.
Terminänderung ggf. in Absprache möglich

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA-MIK ab 1
WF EEI-MA ab 1

Inhalt:

In der Halbleitertechnologie wird eine Vielzahl von Prozessschritten zur Herstellung der Bauelemente verwendet. Aufgabe der Prozesssimulation ist die Voraussage vor allem der Geometrien und Dotierungsverteilungen dieser Bauelemente, woraus dann mithilfe der Bauelementesimulation die elektrischen Eigenschaften abgeleitet werden können. Insgesamt dient die Simulation dem besseren Verständnis der Prozesse und Bauelemente sowie der Reduktion der Entwicklungszeiten und –kosten.

In dieser zweistündigen Vorlesung werden die zur Beschreibung der einzelnen Prozessschritte verwendeten physikalischen Modelle dargestellt, wobei sowohl auf die historische Entwicklung als auch auf den aktuellsten Stand der Forschung eingegangen wird. Zur Auswertung dieser Modelle in ein- und mehrdimensionalen Simulationsprogrammen benötigte Algorithmen werden zusammengefasst. Anhand von Anwendungsbeispielen werden spezielle technologische Effekte und ihre simulationsmäßige Beschreibung diskutiert. Desweiteren werden die Grundlagen der Bauelementesimulation dargestellt. Die Vorlesung schließt mit einer Bestandsaufnahme der in der Industrie verbreitetsten Prozesssimulationsprogramme sowie einem Ausblick auf die weitere Entwicklung des Gebiets sowie seiner Anwendungen.

Schlagwörter:

Halbleitertechnologie Bauelemente Simulation

Übungen zu Prozess- und Bauelemente-Simulation [SimP&B-Ü]

Dozent/in:

Jürgen Lorenz

Angaben:

Übung, 2 SWS, nur Fachstudium, Die Übung stellt ein freiwilliges Zusatzangebot dar. Online-Übung, siehe SimP&B-V

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA-MIK ab 1
WF EEI-MA ab 1

Prozessintegration und Bauelementearchitekturen [PiBa-V]

Dozent/in:

Tobias Erlbacher

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 5, nur Fachstudium, Veranstaltung wird zunächst ohne Präsenztermine im digitalen Format angeboten (StudOn)

Termine:

Fr, 8:15 - 9:45, Hans-Georg-Waeber-Saal

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Inhalt:

In dieser Vorlesung werden die physikalischen Anforderungen an integrierte Bauelemente und deren Umgebung definiert und Lösungsansätze anhand von Prozess-Sequenzen vorgestellt. Insbesondere soll dabei dargelegt werden, wie durch die stetige Verkleinerung der Strukturen neue prozesstechnische Verfahren zur Einhaltung der an die Technologie gestellten Forderungen notwendig werden.

In einer Einleitung werden kurz die Methoden der Herstellung (vgl. Technologie integrierter Schaltungen) vorgestellt. Die für Mikroprozessoren und Logikschaltungen wichtige CMOS-Technik wird im Anschluss daran ausführlich behandelt, gefolgt von der Bipolartechnik und der BiCMOS-Technik, bei der sowohl CMOS, als auch Bipolarschaltungen auf einem Chip integriert werden. Der nächste Vorlesungsabschnitt widmet sich den statischen und dynamischen Speichern, hier werden sowohl die wichtigsten Speicherarten (DRAM, SRAM, EPROM, Flash) vorgestellt, als auch die notwendigen Technologieschritte. Ein kurzes Kapitel befasst sich mit dem Aufbau von Leistungsbaulelementen. Die Problematik der Metallisierung sowie die Aufbau- und Verbindungstechnik, die für alle Bauelemente ähnlich ist, wird im Anschluss behandelt. Das letzte Kapitel beinhaltet Aspekte zur Ausbeute und Zuverlässigkeit von Bauelementen.

Schlagwörter:

Halbleitertechnologie

Exkursion Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [TeSi-EX]

Dozent/in:

Assistenten

Angaben:

Exkursion, 1 SWS, Schein

Termine:

Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben

Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen [PiBa-Ü]

Dozent/in:

Michael Niebauer

Angaben:

Übung, 2 SWS, Veranstaltung wird ohne Präsenztermine im digitalen Format angeboten (StudOn)

Termine:

Di, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Seminar Quantentechnologien

Dozent/in:

Roland Nagy

Angaben:

Seminar, 2 SWS, ECTS: 2,5, nur Fachstudium

Termine:

Di, 8:15 - 9:45, Raum n.V.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-AET ab 5
WPF EEI-MA-AET ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Mathematik (1 - 4) und Experimentalphysik (1 & 2) sollten abgeschlossen sein.

Inhalt:

Im Seminar „Quantentechnologien“ sollen Studierende selbstständig aktuelle Forschungsthemen im Bereich der Quantentechnologien erarbeiten. Diese Erkenntnisse sollen in Form eines wissenschaftlichen Vortrags und anschließender Diskussion vertieft werden.

Empfohlene Literatur:

• Haken, Herrmann & Wolf, Hans Christoph (2004): Atom- und Quantenphysik
  

• Nolting, Christoph (2009): Grundkurs Theoretische Physik 5/1: Quantenmechanik – Grundlagen

Seminar über Bachelorarbeiten (Sem BA)

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Dirnecker, Tobias Stolzke, u.a.

Angaben:

Seminar, 2 SWS

Termine:

Fr, 10:15 - 11:45, 0.111
Vortragstermine werden per Aushang auf den Lehrstuhlseiten bekannt gegeben

Seminar über Masterarbeiten (Sem MA) [SEM StudA]

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Stolzke, Tobias Dirnecker, u.a.

Angaben:

Seminar, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Fr, 12:15 - 13:45, 0.111
In Kooperation mit FhG IISB.