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Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; n.V.					Frey, L.
Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB] V/UE; 2 SWS; ECTS: 2,5; Mo, 8:30 - 10:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Terminänderung in KW2/2014: Die Vorlesung finden zum vereinbarten Ausweichtermin, d.h. am Dienstag, den 7.1.2014 von 12:15 – 13:45 Uhr im Waebersaal statt.; Vorbesprechung: 17.10.2013, 16:15 - 17:45 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-BA-MG3 3-6 WPF ME-MA-MG3 1-3 WF EEI-BA ab 5 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	März, M.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:15 - 15:45, 0.111				WPF ME-DH-SEM 5-13 WPF ME-MA 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Hürner, A.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:15 - 15:45, 0.111				WPF ME-DH-SEM ab 6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-BA-SEM 3-6	Hürner, A.
Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr] VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 12:30 - 14:00, Raum n.V.; Seminarsaal 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 1.OG; Vorbesprechung: 23.10.2013, 13:00 - 14:00 Uhr					Jank, M.
Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente" EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.					Polster, S.
Forschungspraktikum am LEB SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>					Dirnecker, T. Grandrath, Ch.
Halbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Di, 10:15 - 11:45, H9				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 2 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente TUT; 2 SWS; Mi, 18:15 - 19:45, H11, (außer Mi 11.12.2013, Mi 22.1.2014); Einzeltermine am 11.12.2013, 22.1.2014, 18:15 - 19:45, H5				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 2 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Albrecht, M.
Übungen zu Halbleiterbauelemente UE; 2 SWS; Mo, 12:15 - 13:45, H8				PF EEI-BA 3 PF EEI-BA-S 2 PF WING-BA-IKS 5 PF BPT-BA-E 3	Albrecht, M.
Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES] SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 12:15 - 15:00, 0.111; ACHTUNG: Vorbesprechung am Dienstag 22.10.2013; Vorbesprechung: 22.10.2013, 14:15 - 14:45 Uhr, 0.111					Wunder, B. Dirnecker, T.
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.					Bauer, A.
Leistungshalbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Mo, 14:00 - 15:30, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-MA-EuA 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3	Erlbacher, T.
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente UE; 2 SWS; ben. Schein; Mo, 12:15 - 13:45, 0.111; ab 21.10.2013; Die Übung startet in der zweiten Vorlesungswoche				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 WPF EEI-MA-EuA 1-4 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3	Hürner, A.
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling VORL; 2 SWS; Do, 12:00 - 13:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-MA ab 1 WF ME-DH ab 7 WF AOT-GL ab 1	Erdmann, A.
Übung zu Optical Lithography UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Mi, 9:00 - 10:30, AOT-Bibliothek				WF AOT-GL ab 1	Erdmann, A.
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Vorbesprechung: 16.10.2013, 15:00 - 15:30 Uhr, BR 1.161				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-DH-PEEI 5-10	Krach, F.
Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 16.10.2013, 13:30 - 14:30 Uhr, BR 1.161				WPF EEI-BA-MIK 5-6	Krach, F.
	Mi	13:00 - 17:00	n.V.		Frickel, J. u.a.
	Fr	8:00 - 18:00	EL 4.13		Schröter, S. Rascher, J.
	Fr	13:00 - 17:00	BR 1.161		Krach, F.
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Mi, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Mi, 8:30 - 10:00, 0.111; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 16.10. um 9:00 Uhr im Raum 0.111! ANMELDUNG über StudON				WPF ME-DH-PEEI 5-10 WPF EEI-BA-MIK ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF EEI-MA-LE ab 1 WPF EEI-BA-LE ab 5 WPF ME-MA-P 1-3	Dirnecker, T. Assistenten
Reinraumpraktikum [RRPrak] PR; ECTS: 5; Teilnahme an Vorbereitungstreffen verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten (08:00-12:00 oder 13:00-17:00) werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.				PF NT-BA 5	Scharin, M.
	Einzeltermin am 17.10.2013	13:00 - 15:00	Hans-Georg-Waeber-Saal		Scharin, M.
	Do	8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00	BR 1.161		Scharin, M.
	Do	8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00	0.111		Polster, S.
	Do	9:00 - 13:00, 14:00 - 18:00	BR 1.161		Polster, S. Scharin, M.
	Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.				Polster, S. Scharin, M.
Seminar über Studentische Arbeiten SEM; 2 SWS; Fr, 10:00 - 12:15, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden					Dirnecker, T. Albrecht, M.
Technik der Halbleiterfertigungsgeräte VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Mi, 15:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-MA ab 1 WF EEI-BA ab 5 WPF ME-BA-MG10 3-6 WPF ME-MA-MG10 1-3 WF WW-DH-EL 7-13	Pfitzner, L. Schmutz, W.
Technologie integrierter Schaltungen VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mo, 12:00 - 14:15, Hans-Georg-Waeber-Saal				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1	Frey, L.
Übung zu Technologie integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mo, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI ab 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1	Polster, S.
Technologie medizinischer Mikrosysteme VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 8:30 - 10:00, 0.111				WPF MT-MA-MEL ab 2	Dirnecker, T.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.
Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Mi, 12:15 - 13:45, 0.111				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.
Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; ben. Schein; Mi, 10:15 - 11:45, Raum n.V.; Übung findet im Seminarsaal 1 am Fraunhofer-Institut IISB (Schottkystr. 10) statt.				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.



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