Mikroelektronik
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Grundlagen der Elektrotechnik I [ETechnik1]
VORL; 4 SWS; ECTS: 7,5; Anf
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PF EEI-DG 1
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| | Mo, Mi | 8:30 - 10:00 | H7 | |
Albach, M. |
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Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 4; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Vorbesprechung: 18.10.2004, 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Lazarev, M.
Jank, M.
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Technologie integrierter Schaltungen
VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mo, 12:30 - 14:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Ryssel, H.
Jank, M.
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Entwurf Integrierter Schaltungen I [EIS1]
VORL; 3 SWS; Kredit: 4/4; ECTS: 5; Di, 14:00 - 16:15, SR 01.030; Röthelheim-Campus, Paul-Gordan-Str. 5
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Glauert, W.H.
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